RZQ045P01TR【PDF 5/6 页】MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6

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RZQ045P01

Transistors

Measurement circuits

Pulse Width

V GS

I D

R L

V DS

V GS

10%

50%

90%

50%

R G

D.U.T.

10%

V DD

V DS

t d(on)

90%

t d(off)

90%

t on

t off

Fig.15 Switching Time Measurement Circuit

V G

Fig.16 Switching Waveforms

I G(Const)

V GS

I D

R L

V DS

V GS

Q g

R G

D.U.T.

Q gs

Q gd

V DD

Charge

Fig.17 Gate Charge Measurement Circuit

Fig.18 Gate Charge Waveform

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This product might cause chip aging and breakdown under the large electrified environment .

Please consider to design ESD protection circuit.

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RZQ050P01 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Pch MOSFET

RZQ050P01TR 功能描述:MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -12V, -5A RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

RZR020P01 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Pch MOSFET

RZR020P01TL 功能描述:MOSFET 1.5V DRVE PCH MOSFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

RZR025P01 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Pch MOSFET

RZR025P01TL 功能描述:MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -12V, -2.5A RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

RZR040P01 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Pch MOSFET

RZR040P01TL 功能描述:MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -12V, -4A RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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